存储器件的大小关系
存储元（记忆单元） → 存储芯片（DRAM） → 存储模块（内存条） → 存储器
低位交叉编址（同时启动）与位扩展的区别
位扩展的大小与总线宽度、存储单元大小相同，8 个 8192 x 8192 x 8 位的芯片：
若采用位扩展，扩展至 64 位则其数数据总线宽度也应该为 64 位，且其存储单元也为 64 位(即按 8 字节编址)，一次读入 64 位。
而若采用低位交叉编制，则其数据总线宽度也应该为 64 位，不过存储单元是 8 位，一次读入 8 位。
高位交叉编址与字扩展的区别
字扩展是相对于存储芯片 DRAM 内部而说的,多模块存储器说的是存储器，是比字扩展更大的概念。
字扩展是一个相对独立的概念，多模块存储器每个模块之间有不同的地址、寄存器、电路，更灵活。
字扩展是为了扩容，多模块存储在扩容的同时，能满足每个模块交叉编址，提高吞吐率。