多模块存储器一般使用 DRAM 实现。
目的：为了提高存储器的吞吐率。
Tip
多模块存储器是顺序存储器，因为需要按顺序存取。
单体多字存储器
存储器中只有一个存储体，每个存储单元存储 m 个字，总线宽度也为 m 个字。每个存储周期并行读出 m 个字，地址必须顺序排列并处于同一个存储单元。
缺点：指令连续存放时才能提升存取速度，否则会造成浪费。
多体并行存储器
高位交叉编址（顺序方式）
低位交叉编址（交叉方式）
低位交叉存储器有轮流启动和同时启动两种方式。
轮流启动
要流畅轮流运行每个模块，交叉模块数应满足 。
同时启动
若所有模块一次并行读/写的总位数刚好是数据总线位数，则可以同时启动所有模块。
Tip
同时启动可能会增加读写次数，比如当数据长度和总线长度不对齐时，可能需要多读一次。